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IXFN44N100Q3
70
Fig. 7. Input Admittance
80
Fig. 8. Transconductance
60
50
70
60
T J = - 40oC
25oC
50
40
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
30
20
10
0
125oC
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
0
10
20
30
40
50
60
70
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
120
9
8
V DS = 500V
I D = 22A
I G = 10mA
100
80
7
6
5
60
T J = 125oC
4
40
T J = 25oC
3
2
20
1
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
40
80
120
160
200
240
280
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
10,000
Ciss
100
R DS(on) Limit
1ms
250μs
Coss
1,000
10
100
10
Crss
1
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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